Созданы 128 МБ чипы STT-MRAM памяти, имеющие рекордно быстрое время записи информации

Память

Группа исследователей из университета Тохоку, Япония, завершила создание первого в своем роде 128 МБ чипа памяти STT-MRAM (spin-transfer torque magnetoresistive random access memory), время записи информации которого не превышает 14 наносекунд. Это время является рекордно быстрым временем записи для различных типов встраиваемой памяти с плотность более чем 100 МБ, а сама такая память, благодаря ее определенным характеристикам, может быть использована в качестве кэш-памяти, памяти для устройств Интернета вещей и искусственного интеллекта.

Память STT-MRAM обличается высокой скоростью работы и потребляет небольшое количество энергии, помимо этого, она является энергонезависимой, сохраняя записанные в нее данные при отключении питания. Из-за этих особенностей такая память рассматривается в качестве перспективного варианта для реализации основной памяти встраиваемых систем, быстрой кэш-памяти для микропроцессоров и программируемой логики.

Отметим, что в течение прошедшего 2018 года всего три завода в мире начали производство чипов STT-MRAM памяти, но, к сожалению, емкость этих чипов находится в диапазоне от 8 до 40 мегабит, чего недостаточно с учетом нынешних требований.

Как уже упоминалось выше, исследователям из центра CIES (Center for Innovative Integrated Electronic Systems) университета Тохоку удалось упаковать на кристалл чипа массив STT-MRAM памяти, емкостью 128 МБ. Главную роль в этом достижении сыграл многоэтапный процесс миниатюризации ячеек памяти, основой которых является магнитный туннельный переход (magnetic tunnel junction, MTJ), включенный в общую схему при помощи стандартных CMOS-технологий.

В данном случае магнитные туннельные переходы были сформированы прямо внутри переходных отверстий (via), соединяющих различные слои полупроводникового материала. Именно это позволило сократить размер ячейки памяти и создать чип, емкостью в 128 МБ. После создания экспериментального образца такого чипа исследователи измерили время записи информации, которое было равно 14 наносекундам при напряжении питания в 1.2 Вольта.

Сейчас же эта группа исследователей продолжает работу в двух направлениях. Первым направлением, естественно, является адаптация разработанной ими структуры ячейки памяти к условиям и требованиям крупномасштабного промышленного производства. Это, в свою очередь, позволяет надеяться на скорое появление на рынке 128 МБ чипов STT-MRAM памяти. Параллельно с этим исследователи работают над совершенствованием структуры ячейки памяти, что в перспективе позволит еще уменьшить время записи в нее информации и уменьшить количество требующейся для этого энергии.

Ключевые слова:
Чип, Память, STT-MRAM, Емкость, Время, Запись, Рекорд, Магнитный, Туннельный, Переход, Размер, Ячейка

Первоисточник

Другие новости по теме:

Share Button

Материалы по теме:

Создано новое устройство памяти, способное работать при высокой температуре
На поверхности Меркурия в светлое время суток температура может подниматься до отметки в 430 градусов Цельсия. Приблизительно такая же температура, на уровне 462 градусов ...
Созданы новые «трехмерные» транзисторы, размеры которых в три раза меньше размеров самых маленьких из существующих транзисторов
Закон Гордона Мура, который мы не единожды упоминали на страницах нашего сайта, гласит, что для поддержания стабильных темпов развития вычислительных технологий количество транзисторов в ...
Найден метод подавления эффекта квантового туннелирования, мешающего дальнейшей миниатюризации современных транзисторов
На страницах нашего сайта мы достаточно часто упоминали о так называемом эффекте квантового туннелирования. Этот эффект заключается в том, что электроны начинают беспрепятственно "перепрыгивать" ...
Ученые изобрели реальный конденсатор потока, предназначенный не для путешествий во времени
Если вы внимательно смотрели или пересматривали фантастические фильмы из цикла "Назад в будущее /Back to the Future", то вы, наверняка, заметили, что основной движущей ...
Инженеры воссоздали первый ламповый триггер ко дню 100-летия с момента появления этого устройства
Большинству инженеров и специалистов в области электроники хорошо известны имена Ли де Фореста (Lee de Forest), изобретателя первой вакуумной лампы-усилителя, или имена Джона Бардина ...
You can skip to the end and leave a response. Pinging is currently not allowed.

Leave a Reply

Яндекс.Метрика